אינטל חושפת כי הצליחה להגיע לשילוב של תרכובות כימיות מסוימות, שיתרמו לפיתוח מעבדים שצריכת החשמל שלהם נמוכה בלא פחות מ-90 אחוזים מהמעבדים כיום.
החברה פירסמה כי בעזרת שילוב של חומרים כימיים, השייכים לקבוצות הכימיות 13 ו-15 בטבלה המחזורית (ביניהם נכללים גם אלומיניום ומספר מוליכים למחצה שנגזרים מהסיליקון), אינטל הצליחה לבנות את הטרנזיסטורים הבסיסים שמרכיבים כל שבב, או במקרה שלנו, מיקרו מעבדים בעלי הביצועים הכי גבוהים שנראו עד היום. הטרנזיסטור שהוצג הינו מסוג P-channel, כאשר לפני שנה חשפה החברה על אותו העיקרון את הסוג השני של הטרנזיסטורים, ה-N-channel, שבנוי גם הוא על תשתית של סיליקון וחומרים כימיים בהם נעשה שימוש בפיתוח החדש.
השילוב של שני סוגי הטרנזיסטורים על גבי מעגל מודפס (PCB), שמהווה בסיס למעבדי העתיד, הצליח להביא לצריכת אנרגיה מינימלית, 10 אחוזים בלבד בהשוואה לאותה כמות טרנזיסטורים בהם עושים שימוש כיום ! פליטת החום קטנה באותו האופן, ומגיעה לרמות מזעריות ביותר.
המשמעות העיקרית מהניסוי הוא פריצת דרך בכל הנוגע לצריכת החשמל, יעילות ופליטת החום של מעבדים, שכן למרות שהמעבדים כיום יותר מסובכים מבחינת תיכנון וייצור, ומציגים ביצועים גבוהים, הם עדיין בעלי צריכת חשמל ופליטת חום גבוהה יחסית. הורדת תהליך הייצור תורם ברובו ליכולת של השבב להכיל מספר רב יותר של טרנזיסטורים, מה שתורם בעיקר לביצועים, ומוריד גם את פילטת החום ברמה מסויימת, אך לא ברמה מספקת במיוחד.
הפיתוח שנחשף יעיל לכל תחום המעבדים אך לא מוגבל לתחום זה ובעצם כל שבב אלקטרוני יפיק מהפיתוח תועלת, מה שמביא אותנו אל הליבות של מעבדים גרפים, ערכות שבבים ועוד. כמו רוב הדברים בתחום האלקטרוניקה, ידרשו עוד שנים של פיתוח ומחקר על מנת להביא את הטכנולוגיה שבניסוי אל השלב הסופי של ייצור שבבים המוני.