אינטל ומיקרון מנחיתות פצצה: טכנולוגיית זכרון חדשה שתוכל לחסל את ה-NAND וה-DRAM

לא פעם ולא פעמיים הזדמן לנו לשמוע בעבר הכרזות על טכנולוגיות זכרון פורצות דרך שישפרו את כל היכולות המוכרות לנו בעשרות מונים, וללא שום השלכות שליליות. עם זאת, כשמי שעומד מאחורי הכרזה שכזו הוא צמד חברות ענק שמייצרות שבבי זכרון באופן המוני כחלק משגרת יומן (ולא חברת סטארט-אפ עלומת שם או קבוצת חוקרים מאוניברסיטה זו או אחרת) – מדובר במהלך משמעותי פי כמה. וזה בדיוק מה שאנחנו מקבלים כיום.

אינטל ומיקרון, שתי חברות הענק האמריקאיות ששותפות במיזם לייצור שבבי הבזק מסוג NAND, חשפו טכנולוגיית זכרון בלתי נדיפה חדשה העונה לשם 3D Xpoint, שמתיימרת להציע זמני שהות (Latency) שהם אלפית בלבד ממה שמוכר לנו מעולם שבבי ה-NAND כיום, בתוספת אורך חיים שיהיה ארוך פי 1,000 מזה של שבבי DRAM עדכניים, ודחיסות תלת מימדית גדולה במיוחד. במילים אחרות – הטוב מכל העולמות.

הייחוד הגדול של טכנולוגיית ה-3D Xpoint היא שאין כאן "לכידה" של אלקטרונים לצורך שמירת המידע הדיגיטלי על גבי המדיום – אין כאן טרנזיסטורים כלל, למעשה, אלא מארג שתי וערב של קווים מוליכים וביניהם חומר שמשנה את המאפיינים הפיזיקליים העצמיים שלו בעת הפעלה של הפרש פוטנציאלים מתאים בקצוותיו, כשהשינוי הבסיסי הזה יעניק אפשרות לגשת לכל תא ותא בזכרון באופן נפרד, ובכך יאפשר את השיפור האדיר בביצועים עליו מדברים באינטל ומיקרון.

שורת המחץ כאן היא שזכרונות 3D Xpoint ראשונים, עם נפח אחסון מרשים מאוד של 128 ג'יגה-ביט לכל שכבה, יהיו זמינים כבר במהלך השנה הבאה. קצת קשה להאמין, אך כאמור – כששתיים מיצרניות השבבים המשמעותיות ביותר בשוק אומרות משהו כזה בומבסטי, רוב הסיכויים שזה לא סתם לשם באזז ריק מתוכן.

imfxpnt1 imfxpnt2

בהכרזה הרשמית לא ציינו זאת באופן מפורש, אך בהתבסס על ההסבר הכללי נשמע כי טכנולוגיית ה-3D Xpoint החדשה מהווה נצר לטכנולוגיית ה-Phase Change Memory (שנקראת גם PCM, או PRAM), שבפיתוחה השקיעה מיקרון רבות במהלך השנים האחרונות ואף הביאה מוצרים מסחריים בהיקף מוגבל לשווקים ייעודיים.

נמשיך לעקוב בעניין אחרי אחת מההכרזות היותר מסקרנות בעולם החומרה בתקופה האחרונה, ונעדכן אתכם בהתאם כמובן.

קישורים נוספים