אינטל ו-Micron משלבות כוחות ומציגות זכרון NAND Flash בליטוגרפיה של 20 ננומטר בלבד
לחברות ענק למיניהן אמנם יש חיבה רבה לריבים ותביעות ענק למיניהן, אך גם שיתופי פעולה ביניהן לא חסר לנו, וכשזה קורה – כמעט תמיד יוצא מזה משהו מעניין וחדשני.
הגיבורות בסיפור הנוכחי הן אינטל ו-Micron Technology, שתיים מהשחקניות המרכזיות בשוק זכרונות ה-NAND (אלו שנמצאים בסמארטפון, טאבלט וכונן ה-SSD שלכם). שתי החברות הקימו יחד ב-2006 את חברת IMFT (ר"ת של Intel Micron Flash Technologies, באופן לא ממש מפתיע), שהציגה טכנולוגיות לייצור שבבי זכרון NAND בליטוגרפיה של 34 ננומטר בשנת 2008 והייתה גם הראשונה להציג שבבים בליטוגרפיה של 25 ננומטר בשנה שעברה, כאשר מוצרים המתבססים על שבבים אלו החלו להגיע לשוק רק לאחרונה.
למרות זאת, נראה שב-IMFT ממש לא מתכננים לבזבז זמן, ומציגים כעת את שבב זכרון ה-NAND הראשון שמיוצר בעזרת ליטוגרפיה של 20 ננומטר. השבב שיצרו ב-IMFT הוא בתצורת MLC (ר"ת Multi Level Cell) ובנפח של 8GB, וגודלו הוא 118 מילימטרים רבועים, לעומת 167 מילימטרים רבועים לשבב בנפח זהה שיוצר בליטוגרפיה של 25 ננומטר (קטן ב-30 אחוז) – מה שממחיש את אחד מיתרונותיו של השבב החדש, בייחוד בשימושים בהם הגודל הפיזי מהווה פקטור מהותי, כמו מכשירים ניידים דוגמת הטאבלטים והסמארטפונים.
הזכרון החדש יוצר במפעל של IMFT ביוטה, שמייצר גם את זכרונות ה-25 ננומטר של החברה. ייצור סדרתי של זכרונות ה-20 ננומטר צפוי להתחיל במחצית השניה של 2011 (אז גם מקווים ב-IMFT להציג שבבים בנפח של 16GB), מה שאומר שנראה מכשירים שיכילו את השבבים החדשים לקראת סוף השנה הנוכחית, או בתחילת שנה הבאה.
לכיווץ השבבים יש עוד כמה יתרונות די ברורים, כמו היכולת "לדחוס" יותר נפח אחסון לאותו גודל והגדלה משמעותית של תפוקת המפעלים, שאמורה בתורה להביא גם לירידת המחירים שזכרונות אלו כל כך זקוקים להם (יותר נכון, ירידת המחיר שהצרכנים כל כך זקוקים לה).
| מאחורי כל הצבעים היפים הללו ניצבת טכנולוגיה מרשימה מאוד |
רבותי, האבולוציה מתרחשת אל מול עינינו |
לצד יתרונות אלו, עשויים להיות גם כמה חסרונות מהותיים לזכרונות NAND בליטוגרפיה קטנה יותר, שאת חלקם ראינו כבר במעבר לשבבי ה-25 ננומטר, כאשר אחד מהחסרונות המהותיים עשוי להיות אורך חיים נמוך יותר (מספר פעמים שניתן להכניס מידע ולמחוק מידע בכל תא בשבב), מה שיגדיל את שחיקת הזכרון וידרוש שמירה של נפח גדול יותר כ"רזרבה" – וזה יקטין את הנפח הזמין לשימושו של הצרכן. ב-IMFT ניסו להרגיע את החששות וסיפרו כי שבבי ה-20 ננומטר "מציגים אורך חיים דומה למה שהציגו שבבי ה-25 ננומטר בשלב זה בפיתוחם", כאשר נראה שהמצב האידיאלי יהיה מצב בו המוצר הסופי יציע אורך חיים דומה לזה של זכרונות ה-25 ננומטר – כ-3000-5000 מחזורי תכנות ומחיקה, בהתאם לשיטות השונות לתיקון ושמירה על אורך החיים.
בין אם המעבר הזה משתלם לצרכן ובין אם לא, נראה שב-IMFT מתכננים לדחוף אותו קדימה בכל הכח, תוך שהם מתכוונים להעביר גם את מפעליהם בוירג'יניה וסינגפור לייצור בליטוגרפיה של 20 ננומטר. עושה רושם שלנו עדיף, אם כך, להתרכז ביתרונות שטומן בחובו המעבר לליטוגרפיה מתקדמת יותר, ולקוות שבאינטל ו-Micron ימצאו פתרונות יצירתיים לחסרונות ככל ששיטת הייצור "תתבגר".
