הטכנולוגיה לחיבור שכבות של שבבי הבזק דרך הסיליקון עצמו מתחילה לקרום עור וגידים בעולם המסחרי, ותסייע לנו לקבל כונני SSD חסכוניים ומהירים יותר, בנפחים מוגדלים
החודש החולף סיפק לנו לא מעט הכרזות משמעותיות ומשמחות בתחום האחסון, החל מטכנולוגיית ה-3D Xpoint העתידנית וכלה בכונן ה-16 טרה-בייט המפלצתי (והמרחף) של סמסונג. גם טושיבה ושותפתה הטובה סאנדיסק לקחו חלק במסיבה עם הכרזה על שבבי תלת מימד בנפח משופר של 256 ג'יגה-ביט כל אחד שיופיעו בתוך כמה חודשים – וגם עם הכרזה מסקרנת נוספת שמבטיחה לנו שיפור בלתי מבוטל גם במסגרת עולם השבבים המישוריים הישנים והטובים.
את טכנולוגיית ה-Through Silicon Via (ר"ת TSV) הכרנו כבר לפני מספר שנים בתור מה שיאפשר לערום יותר ויותר השבבים האחד על האחר במארז יחיד, ותוך שיפור כל מרבית המאפיינים הפיזיקליים והחשמליים. עם זאת, אנחנו כבר יודעים שלעיתים קרובות הפער בין הכרזות לבין יישום מסחרי מעשי הוא גדול – וגם במקרה זה הפעם הראשונה בה התוודענו לטכנולוגיה באמת הייתה לפני כמה חודשים, עם השקתם של כרטיסי ה-Radeon Fury X אשר יישמו את טכנולוגיית ה-TSV בשבבי זכרון ה-HBM החדשניים.
כעת, בטושיבה מכריזים על כוונה להתחיל ביישום טכנולוגיית ה-TSV גם עבור שבבי הבזק לכונני אחסון.
נבהיר כי כל מארז שאתם רואים כיום על גבי כונן ה-SSD שלכם או אפילו בסמארטפון או בטאבלט שלכם כולל בתוכו למעשה כמה וכמה שכבות של שבבים, אך אלו מחוברות כולן אל שכבת הבסיס התחתונה (שמקושרת אל שאר רכיבי המערכת) מהצדדים בלבד. טכנולוגיית ה-TSV מאפשר לזנוח את החיבור הצדדי הלא נוח לטובת חיבור של כל השבבים מטה באופן ישיר – דרך השבבים.
שיטה זו מקצרת משמעותית את המרחק שנדרשים האותות האלקטרוניים לעבור ומאפשרת יצירה של ממשקים רבים הרבה יותר אל שכבת הבסיס (דמיינו זאת כמעלית אישית בכל חדר בבית, לעומת מדרגות הנמצאות בשתי פינות הבניין), מה שמעניק יכולת עבודה במתח הדקים נמוך יותר וחסכון מוצהר של עד 50 אחוזים בצריכת ההספק, לצד קבלת זמני שהות ורוחבי פס אפקטיביים משופרים עבור האלמנטים המרכיבים את כונן האחסון.
טושיבה תנצל את הטכנולוגיה החדשה על מנת ליצור מארזים בני שמונה או שש-עשרה שכבות, אשר יתורגמו לנפחים כוללים של 128 ג'יגה-בייט ו-256 ג'יגה-בייט בהתאמה (בהתבסס על שבבי 128 ג'יגה-ביט מישוריים בתהליך ייצור עדכני של 15 ננומטר). מעבר לשיפורים שהוזכרו בפסקה הקודמת, מארזי 256 ג'יגה-בייט יוכלו להפוך כונני 2 טרה-בייט לסטנדרט שכיח חדש בסדרות מוצרי 2.5 אינץ' עבור הצרכנים הביתיים – ואולי גם יאפשרו לנו לראות נפחים של 256 ג'יגה-בייט בסמארטפונים וטאבלטים, המתבססים ברוב המקרים על מארז בודד שיושב על גבי בקר האחסון שלו בתצורת PoP.
מקור: custompcreview.com
שימוש ב-TSV אמור לאפשר ערימה של עוד יותר שבבים בכל מארז ומארז, כך שעם 24 או 32 שכבות של שבבים נוכל לראות נפחי אחסון גבוהים יותר מאי פעם בכל המחשבים והמכשירים הסובבים אותנו, ללא תלות בהתפתחות תחום שבבי התלת מימד – שגם הוא יהנה מיישום של TSV במורד הדרך, אגב, היות ומדובר בטכנולוגיות משלימות (גם שבבים במבנה תלת מימדי נערמים במארזים).
אין ספק כי תחום אחסון ה-NAND לא עוצר אפילו לרגע – טוב שכך.
קישורים נוספים
- מקור לידיעה
- שווה אבל שונה: Radeon Fury X מושק וזוכה לביקורות חיוביות
- ה-Radeon Fury בביקורות: חיים ומוות ביד ההמהרה
- מיקרון תיצור סטנדרט לזכרונות תלת מימדיים
- מגדל השבבים של IBM ו-3M
- מנפצת שיאים: סמסונג חושפת כונן SSD בנפח 16 טרה-בייט
לו יהי !
כל יום כתבה חדשה על פריצת דרך בתחום אבל עדיין כונן במהירות סבירה בגודל בסיסי של 250 גיגה מתחיל ב-600 ש"ח.
לא בלתי מושגים אבל המחירים גבוהים מדי.
רק חבל שהמחירים גבוהים ברמות, לא ריאלי בכלל לכל כיס.