אינטל וחברת מיקרון (Micron) מודיעות על פיתוח שבב זיכרון הפלאש המהיר ביותר בעולם.
הזיכרון הינו מסוג NAND Flash, זיכרון בו עושים שימוש כונני ה-SSD (ר"ת Solid State Disk). שבב הזיכרון אותו פיתחו החברות הוא בעל נפח סטנדרטי של 8 ג'יגה-בייט או 16 ג'יגה-בייט, והוא מתפאר ביכולת כתיבה העומדת על 100 מגה-בייט לשניה ויכולת קריאה של 200 מגה-בייט לשניה. זהו שיפור של פי 5 ממה שקיים היום, שכן זיכרון ה-NAND Flash המהיר ביותר כיום מסוגל לקרוא בקצב של 40 מגה-בייט לשניה ולכתוב בקצב נמוך יותר, של 20 מגה-בייט לשניה. נתונים אלו מעניקים לזיכרון החדש את התואר של זיכרון ה- NAND Flash המהיר ביותר בעולם.
על מנת להשיג ביצועים גבוהים שכאלו השתמשו החברות בתקן ה-ONFI 2.0 (ר"ת Open NAND Flash Interface), שמאפשר הפחתת זמן המחזור של המידע המועבר אל הזיכרון הנדיף, זיכרון אשר נמצא על שבב ה-NAND, זאת על ידי העברת מידע בטכנולוגיית ה-Double Data Rate, שמאפשרת העברת נתונים פעמיים בכל מחזור שעון אחד, בדומה לזיכרונות ה-2DDR שנפוצים כיום. טכנולוגיה נוספת היא ה-Source Synchronous Clock, שמאפשרת דיוק והתאמה של המידע אל זמני המחזור של הזיכרון, מה שמאפשר העלאת תדר השעון, ובסופו של דבר הגדלת קצב העברת המידע הכולל. אינטל ומיקרון עדיין לא חשפו מתי שבב הזיכרון החדש יהיה זמין לקהל הרחב, או לשימושם של חברות אחרות, אך הם ציינו כי הם מתכננים לשלבו במגוון רחב של מוצרים, החל מכוננים קשיחים, מצלמות וידיאו בהבחנה גבוה (High Definition) ועד למוצרים עתידים בתקן ה-USB 3.0.