IBM, אחת החברות הותיקות ביותר בתחום החומרה, ושתי שותפות נוספות שלה, גילו לאחרונה טכנולוגיה בעלת סיכוי סביר להחליף בעתיד הרחוק את טכנולוגית ה-Flash, המקובלת בשוק הזכרונות הניידים. הבשלת הטכנולוגיה לא צפויה כאמור מחר בבוקר, ואנו מדברים על לפחות עוד חמש שנים עד להופעת מוצרים שכאלו בשוק.
בדומה לזכרונות המבוססים על טכנולוגיית ה-Flash, גם זכרונות שיבוססו על Phase Change (טכנולוגיית שינוי-מצב) מתבססים על שבב שמסוגל לשמור מידע גם ללא הספק מתח, שלא כמו זיכרונות המחשב (RAM) בהם המידע מתנדף ברגע שלא עובר דרכם זרם.
תוך שיתוף פעולה רחב היקף, ובמעבדות IBM בשני חופי ארצות הברית, עיצבו ותיכננו מדענים מ-IBM, MACRONIX ומ-QIMONDA אב טיפוס מתקדם של הטכנולוגיה, שבתנאי מעבדה מבוקרים הצליח לעבוד פי 500 יותר מהר מזיכרון מבוסס Flash, תוך צריכת פחות מחצי ההספק הדרוש לזיכרון Flash.
החומר שעליו יבוסס זיכרון עתידני זה הוא סגסוגת גרמניום- אנטימון (סימנו הכימי Ge), שנוספו לו יסודות אחרים בכדי להקנות לו את התכונות הדרושות לזיכרון, כשסימולציות מדעיות שונות מסייעות למדענים למצוא את היחס המתאים בין ריכוז הגרמניום בנוסחה לריכוזי
שאר החומרים.
אז האם באמת יש לנו כאן מחליף ראוי ל-Flash הותיק? את התשובה נדע, כנראה, רק בשנת 2011…