TSMC משלימה את הזינוק הטכנולוגי מעל אינטל ומכריזה על אבן דרך חדשה ומדהימה – שתוכל לאפשר לנו לקבל שבבים יעילים הרבה יותר מאי פעם עוד לפני סוף השנה
ההתקדמות הטכנולוגית בייצור שבבי העיבוד לא מפסיקה להדהים אותנו לרגע, ועכשיו אנחנו מקבלים בשורה על יריית הפתיחה בייצור המסחרי של מוצרים בליטוגרפיית 7 ננומטר אצל חברת TSMC הטאיוואנית, היצרנית הגדולה ביותר מעולם מבין אלו שאינן מפתחות שבבים בעצמן – פחות משנה לאחר הכרזה על אבן דרך דומה עבור תהליך הייצור המוביל הקודם ב-10 ננומטר.
בכיר ביצרנית השבבים הצהיר כי מצעי שבבים (וייפרים, או Wafers) בטכנולוגיית ה-7 ננומטר צפויים לסייע בהגדלת התפוקה הכללית של החברה בכ-9 אחוזים כבר השנה, מה שכנראה מחזק את הסיכויים לכך שנקבל מוצרים אמיתיים שניתן לרכוש בחנויות בחודשים הקרובים – והצפי הוא שליבות Vega 20 גראפיות ומעבדי EPYC מהדור השני לעולם השרתים, שניהם מבית AMD, יהיו המוצרים הראשונים שיבוססו על התהליך החדשני הזה.
דור ה-7 ננומטר הראשון של TSMC ימשיך להתבסס על טכנולוגיית ה-DUV (ר"ת Deep Ultra Violet) הוותיקה שעושה שימוש באורכי גל גדולים יחסית, כאשר דור שני משופר אמור להגיע במהלך השנה הבאה ולבצע את הקפיצה הנדרשת ל-EUV (ר"ת Extreme Ultra Violet) אשר נחשב כבר שנים לעתיד עולם ייצור השבבים, עם אורכי גל קצרים משמעותית שיוכלו לשפר את זמני הייצור ואת התפוקה המיטבית – זאת במקביל לסמסונג ו-GlobalFoundries אשר צפויות להתחיל בייצור מסחרי של שבבי 7 ננומטר משלהן עוד במהלך השנה הנוכחית או בתחילת השנה הבאה ולהגדיל פי כמה את הזמינות הכללית של מוצרים המתבססים על העידן החדש.
זה המקום לציין פעם נוספת כי יש שוני בשיטות המדידה של היצרניות השונות לשערים הלוגיים הזערוריים שמרכיבים את השבבים, ועל כן תהליכי ייצור של 7 ננומטר ו-10 ננומטר אינם זהים במאפייניהם בין מפעלי הייצור של השחקניות המרכזיות בתחום – כאשר ההערכות הנוכחיות הן שתהליכי 7 ננומטר מ-TSMC וסמסונג יהיו דומים בצפיפותם למה שמיועד להציע תהליך הייצור החדש של אינטל ב-10 ננומטר. גם אם הנתון הזה לא יהיה מדוייק במיוחד ולאחד מהצדדים במשוואה יהיה יתרון קל על האחר – ברור לגמרי כי ההובלה הטכנולוגית המובהקת ממנה נהנתה אינטל לאורך שנים כבר לא קיימת למעשה.
תהליך ה-7 ננומטר של TSMC יציע טרנזיסטורים בתצורת ה-FinFET אשר כבר הפכה לברירת המחדל בתחום בשנים האחרונות, עם פוטנציאל לשיפור של עד 60 אחוזים בצפיפות הטרנזיסטורים בהשוואה לתהליך הייצור שלה ב-10 ננומטר, ולשיפור הביצועים בעד ל-20 אחוזים תחת אותה צריכת הספק או לחילופין קיצוץ צריכת ההספק בכ-40 אחוזים בעבור אותם ביצועים. חברות נוספות שאמורות לנצל את פריצת הדרך הזו הן NVIDIA עבור ליבות הגראפיות מדורות העתיד שלה, Bitmain המפתחת שבבים ייעודיים לכריית מטבעות קריפטוגרפיים, קוואלקום עבור שבבי Snapdragon וגם מודמים ייעודיים לדור הסלולר החמישי – ואפל, כנראה כבר עבור שבב ה-Apple A12 שלה שיוצג השנה.
אנחנו עומדים בפני תקופה מרתקת בעולם החומרה – אז צפו לשלל עדכונים וחידושים מאיתנו כבר בזמן הקרוב.
WOW – בלי שמץ של ציניות !
ולמה 7nm שווה ל-10nm של אינטל? לא כל כך הבנתי?
עד לפני כמה שנים שם הליטוגרפיה נקבע ע"י גודל פיזי שמציים את חצי המרחק בין רכיבים שונים. עד כמה שאני מכיר ליטוגרפיית ה-22 ננומטר הייתה האחרונה שזה היה נכון עבורה.
מאז , כל מעבר ליטוגרפיה הוא רק שם קוד ולא באמת גודל פיזי.
לפי ציטוט של מנכל אינטל היוצא בריאן קרזניץ: במעבר בין כל ליטורפיה הממוצע בתעשיה הוא מעבר לצפיפות טרנזויסטורים של בערך פי 1.5-2 מהליטוגרפיה הקודמת.
אינטל במעבר בין 22 ננונמטר ל14 ננומטר שיפרה את הציפות פי2.4 ובמעבר ל10 ננומטר היה נסיוון ראשוני להגדיל את הצפיפות פי 2.7.
אני חושב שאתה טועה. לפי מה שלמדתי ומה שאני מכיר, הליטוגרפיה מציינת למעשה את אורך התעלה בטרנזיסטור. כלומר, מעבר לטכנולוגיית יצור של 7nm אומרת שאורך התעלה בטרנזיסטור הינו 7nm. זהו מאפיין חשוב ביצור טרנזיסטורים שכן הוא מאפיין שמציין הן את מהירות העברת הזרם בטרנזיסטור, והן את השטח אותו הטרנזיסטור תופס (שזה הרבה יותר קריטי נכון לטכנולוגיות החדישות). מה שבסופו של דבר מאפשר "לדחוס" יותר טרנזיסטורים על Die (-רכיב דיגיטלי עשוי סיליקון ומתכות המכיל מספר טרנזיסטורים בקונפיגורציה מסויימת.) אחד.
זה היה נכון בעבר עד לטכנולוגיית ה22NM אם אני לא טועה וכבר לא נכון היום.
הנה ציטוט של בריאן קרזניץ מנכל אינטל לשעבר בנושא:
Krzanich explained that the company "bit off a little too much on this thing" by increasing 10nm density 2.7X over the 14nm node. By comparison, Intel increased density by only 2.4X when it moved to 14nm. Although the difference may be small, Krzanich pointed out that the industry average for density improvements is only 1.5-2X per node transition. Because of the production difficulties with 10nm, Intel has revised its density target back to 2.4X for the transition to the 7nm node. Intel will also lean more on heterogeneous architectures with its EMIB technology
קישור למקור:
https://www.tomshardware.com/news/intel-cpu-10nm-earnings-amd,36967.html