מדענים פיתחו זכרונות RRAM גמישים לגמרי

אלכס שפירו 07/11/2011

קבוצת חוקרים קוריאנית מציגה פריצת דרך חשובה, בדרך לפיתוחם של מחשבים גמישים

קבלו מאיתנו עדכונים לפני כולם - בטלגרםהצטרפו כבר עכשיו לערוץ הטלגרם של הזון

סמסונג אמנם מבטיחה להביא לנו מכשירים עם מסכי AMOLED גמישים כבר בשנה הבאה, אבל לא צריך להיות מדען בעל שם עולמי בכדי להבין שללא מכלול רכיבים גמישים לא נוכל להגיע ליום בו נראה מחשבים ומכשירים הגמישים במלואם.

צעד חשוב נוסף בדרך להגשמת החזון הזה מגיע בימים אלו מהמכון הקוריאני למדע וטכנולוגיה (KAIST), שם קבוצת מדענים פיתחה זכרון גישה אקראית התנגדותי (RRAM – Resistive Random Access Memory), בלתי נדיף, פעיל במלואו והכי חשוב – גמיש לגמרי.

זוהי ממש לא הפעם הראשונה בה ניסו טובי המוחות ליצור זכרונות גמישים, אך עד עתה נתקלו הפיתוחים במגבלות של החומרים בהם נעשה שימוש, אשר יצרו הפרעות בין תאי הזכרון ולא איפשרו להגיע לרמת הביצועים הנדרשת מזכרון גישה אקראית.


הזכרון החדש בתצוגת תכלית. בקרוב בחנות הקרובה אליכם?

החוקרים מ-KAIST עשו שימוש במערך של רכיבי Memristors (רכיב אשר "זוכר" את כמות המטען שזרמה דרכו, ומאפשר אחסון מידע באופן זה) – שני פסי אלומיניום מחוברים ביניהם בידי Memristor העשוי דו תחמוצת טיטניום אשר מועשרת ביוני חמצן בחלקה העליון. הפעלת מתח שלישי על אלקטרודת האלומיניום העליונה תביא ל"דחיפת" יוני החמצן אל תוך הטיטניום ולהקטנת התנגדותו, מצב אשר מוגדר כ-'1' לוגי. הפעלת מתח חיובי על אותה האלקטרודה יביא למשיכת יוני החמצן ולמצב של התנגדות גבוהה, אשר יחשב כ-'0' לוגי.
אל המערך המדובר הוסיפו טרנזיסטורים גמישים שימנעו מצב בו זרם המיועד לקריאת מצב ה-Memristor כשזה בעל התנגדות גבוהה "ינדוד" אל רכיב אחר – וכך נוצר לו רכיב הזכרון הגמיש הנכסף, שמצליח לבטל את ההפרעות שבין תאי הזכרון השונים.

רכיבי ה-Memristor נחשבים למחליף פוטנציאלי מבטיח לזכרונות ה-DRAM המודרניים. האם הם יביאו אלינו גם את "מהפיכת המחשבים הגמישים"?

החוקרים מכנים את ההישג "צעד מכריע" בדרך למימושם של זכרונות גמישים ויצירת מערכות גמישות, אם כי גם להם ברור שמצפה להם עוד הרבה עבודה – יהיה עליהם להדגים את יכולתו של הזכרון לפעול כראוי גם במערכות בקנה מידה גדול, ובנוסף למצוא דרך להקטין את גודלו הפיזי ולשפר את צפיפותו (הדגם הגמיש אותו יצרו ב-KAIST מאחסן 64 ביט בשטח פנים של סנטימטר רבוע, כאשר זכרונות מצב מתמיד מודרניים מציעים צפיפות הגבוהה מכך פי 100 מיליון, פלוס מינוס).