סמסונג מציגה זכרון מהיר במיוחד לסמארטפונים וטאבלטים

מחשבי הטאבלט והסמארטפונים כיום כוללים אמנם נתונים טכניים מרשימים וזכרון גישה אקראית (RAM) בנפח גבוה, אם כי החברה הדרום קוריאנית סמסונג מעוניינת לקחת את העניינים לידיים ולהביא את הגאדג'טים הניידים אל קצה יכולת הביצועים שלהם. בהצרה שפרסמה החברה באתר שלה, הכריזה סמסונג רשמית על זכרון LPDDR3 חדש מתוצרתה, אשר ייוצר בתהליך 20 ננומטר ויביא את מכשיריה לראש טבלאות הביצועים.

בחברה אומרים כי לשבבי הזכרון החדשים ישנן יכולות ביצועים שמשתוות לזכרון DRAM סטנדרטי שקיים במחשבי נייחים. הזכרון החדש מסוגל להעביר מידע במהירות מקסימלית של 2,133 מגה-ביטים לשניה (Mbps), כאשר מדובר בביצועים גבוהים כמעט פי 3 בהשוואה לזכרון ה-LPDDR2 שמעביר מידע במהירות של 800Mbps.

לדוגמה, אומרים בסמסונג שביכולת הזכרון החדש להעביר שלושה סרטים באיכות Full-HD (שנפחם מסתכם בלמעלה מ-17 ג'יגה-בייט) תוך שניה אחת. "הזכרון החדש שלנו יאפשר למגוון היצרניות בעולם להביא אל השווקים מכשירים ניידים בעלי יכולות ביצועים גבוהות מאי פעם" אמר ג'ן יאנג-יון, בכיר בחטיבת הזכרונות של סמסונג. בחברה סוברים שבעקבות גדילתם הבלתי פוסקת של מסכי הטאבלטים והסמארטפונים, זכרון יעיל יותר הוא בהחלט מצרך מתבקש.

זכרון ה-LPDDR3 החדש של סמסונג יהיה זמין בנפחים גבוהים, כאשר הוא יהיה מהיר יותר מזכרונות זהים שמיוצרים בתהליך של 30 ננומטר – עקב כך שהוא מיוצר בצורה כזו שמאפשרת לו לספק ביצועים גבוהים יותר בעשרות אחוזים. במקביל, צריכת האנרגיה שדרושה לו תפתחת משמעותית – מה שעשוי לסמל על כך שיתכן והמכשירים יהפכו לדקיקים וקלילים אפילו יותר.

בהמשך השנה צפויה סמסונג להכריז על מכשיר הגלאקסי נוט 3 שלה (ככל הנראה בחודש ספטמבר), כשברחבי הרשת צצות יותר ויותר ידיעות לגבי כך שהוא יהיה המכשיר הראשון שיכלול את זכרון ה-DRAM החדש בנפח גדול וייוצר בתהליך 20 ננומטר. מלבד זאת, יתכן שגם הנקסוס 11 אשר ידיעות לגביו גם כן צצו ממש לאחרונה, יציע גם הוא את הזכרון המהיר.