גם לענקית הקוריאנית יש שבבי NAND תלת מימדיים עם 64 שכבות, וצפיפות אחסון שטרם פגשנו
יום אחד בלבד אחרי ש-Western Digital ושותפתה הכריזו בגאון על שבבי ה-NAND התלת מימדיים הראשונים המורכבים מ-64 שכבות של תאי אחסון, בסמסונג חושפים את התשובה הנחרצת שלהם: הדור הרביעי של טכנולוגיית ה-V-NAND שלהם, גם היא עם 64 שכבות, ועם נפח חסר תקדים של עד 512 ג'יגה-ביט.
את השבבים החדשים, שמהווים שידרוג משבבי V-NAND בני 48 שכבות שהיו זמינים בנפחים של 256 ג'יגה-ביט או 384 ג'יגה-ביט, בחברה מתכננים לערום בעד 16 שכבות בתוך מארז בודד אשר יוטמע במעגלים המודפסים – וזה אומר כי מעתה (או בקרוב מאוד) ניתן יהיה לקבל נפח של טרה-בייט שלם בכל מארז V-NAND שכזה (בטכניקת ה-TLC לשלושה ביטים בכל תא, כמובן).
המונחים שבפסקאות הקודמות עשויים להישמע מורכבים או בלתי ברורים, אך התוצר הסופי במקרה הזה הוא פשוט למדי: באמצעות הטכנולוגיה החדשה, סמסונג תוכל ליצור כונני SSD 'ביתיים' סטנדרטיים של 2.5 אינץ' בנפחים של עד 8 טרה-בייט (!), כונני M.2 זריזים וקומפקטיים בנפחים של עד 4 טרה-בייט, כונני SSD חיצוניים קומפקטיים בנפחים של עד 4 טרה-בייט ואפילו "כונני SSD על שבב" סופר קומפקטיים כמו אלו שחשפה רק לאחרונה – בנפח של טרה-בייט שלם.
כמובן שהמשמעות כאן היא גדולה מאוד גם עבור עולם השרתים, כשתהיה יכולת לדחוס הרבה יותר מידע לכל יחידה ולכל ארון שרתים, וזאת על אף שרק לאחרונה ראינו שיאים אדירים בתחום הזה. במילים אחרות: סביר מאוד להניח שדור ה-V-NAND הרביעי יאפשר לסמסונג ליצור כונני SSD של 3.5 אינץ' בנפח שגדול אפילו יותר מהכונן אותו חשפה לנו Seagate רק לפני ימים ספורים. למעשה, לא נופתע לגלות שלסמסונג קיימת היכולת ליצור כונן בודד בנפח שיהיה קרוב מאוד ל-100 טרה-בייט, בדרך לעידן חדש של שירותים מקוונים מתקדמים במיוחד.
השבבים החדשים והאולטרה מתקדמים של סמסונג עתידים להגיע כחלק ממוצרים מסחריים ראשונים במהלך השנה הבאה, בדומה לשבבי ה-BiCS3 המתחרים מבית טושיבה-סאנדיסק ובדומה לכונן ה-60 טרה-בייט של Seagate אותו הזכרנו בפיסקה הקודמת, כל שכבר עתה ברור כי שנת 2017 תהיה מעניינת ביותר בכל הנוגע לחומרה ולטכנולוגיות אחסון.