סאנדיסק וטושיבה מציגות זכרון NAND בליטוגרפיה של 19 ננומטר – אחד פחות מזה של IMFT
שוק ה-SSD הוא שוק תחרותי מאוד בימים אלו, ואם אתה צריכים הוכחה – קיבלתם אותה. רק לפני שבוע הציגו אינטל ומיקרון (Micron) דרך חברת IMFT המשותפת שלהם זכרון NAND שמיוצר בליטוגרפיה של 20 ננומטר בלבד, הישג מרשים לכל הדעות שאמור להביא להוזלה, כיווץ והתייעלות של זכרונות ה-NAND Flash והמכשירים שעושים שימוש בהם.
כעת מציגות טושיבה וסאנדיסק (Sandisk), עוד שיתוף פעולה של שתי "שמות גדולים", שבב NAND בתהליך ייצור של…19 ננומטר, מספיק בדיוק בכדי לנופף במחוות "in your face" לכיוונן של אינטל ומיקרון.
בדומה לאינטל ומיקרון, גם השבב שיצרו טושיבה וסאנדיסק הינו בנפח של 8GB ובתצורת MLC (ר"ת Multi Level Cell) של 2 ביטים לתא, וזה אומר שהשבבים יתפסו פחות מקום פיזית, יהיו זולים יותר לייצור, ויתאפשר יותר נפח אחסון באותו גודל פיזי ביחס לשבבים המוצעים בשוק כיום (וכך לדוגמא, השתיים מצהירות שניתן יהיה להציע נפח אחסון של 128GB בסמארטפונים וטאבלטים בזכות השבבים החדשים).
 |
| שבבי NAND של טושיבה: היא וסאנדיסק שוב מובילות את השוק, לפחות בקטגוריית המיזעור |
בטושיבה, שנשארה לאחרונה החברה היחידה שמייצרת גם כונני SSD וגם כוננים קשיחים, מעריכים שייצור דוגמאות מהשבבים החדשים יחל החודש, ואילו ייצור המוני יתחיל ברבעון השלישי של השנה, מה שאומר שנראה את השבבים של טושיבה ואת השבבים של IMFT מגיעים לשוק בערך באותה מסגרת זמן.
בטושיבה הוסיפו שהשבבים עושים שימוש בטכנולוגיית Toggle DDR 2.0 שמציעה מבנה אסינכרוני שמבטיח מהירויות העברת מידע משופרות, וציינו שהם מתכננים גם להציע שבבים בעלי מבנה של 3 ביטים לתא בעתיד.
פרט חשוב עד מאוד שלא זכה להתייחסות כלל בהכרזה של השבב החדש הוא אורך החיים שלו – מספר מחזורי התכנות והמחיקה שתא יכול לעבור, בממוצע, לפני שהוא שובק חיים, פרמטר שמהווה את אחד מהחסרונות והבעיות הגדולות ביותר במעבר לשבבי NAND בליטוגרפיה זעירה יותר. בהתחשב בעובדה שגם באינטל לא הציגו מספרים מדוייקים אלא התייחסו לעניין באופן מקורב, אנחנו נקווה שהסיבה להשמטת הנתונים הוא חוסר האפשרות להציע מידע מדוייק לפני שהחל הייצור הסדרתי, ולא "סוד מכוער" שטומנת בחובה הטכנולוגיה המרשימה, שהופכת את השבבים הללו לאחד מהרכיבים הראשונים (אם לא הראשון) שייוצרו באופן סדרתי בליטוגרפיה של פחות מ-20 ננומטר.
ההכרזה הנוכחית מצטרפת אל הכרזה טריה נוספת מפי טושיבה, אז היא הציגה זכרונות SmartNAND בליטוגרפיה של 24 ננומטר ובתצורת 2 ביטים לתא, כאשר הייחוד של שבבים אלו הוא שהם מציעים יכולות ECC (ר"ת Error Correction Code) מובנות, שאמורות להוריד את המעמסה של בדיקה ותיקון טעויות בזכרון מהמעבד של המכשיר. זכרונות אלו יחליפו את שבבי ה-32 ננומטר, יגיעו בנפחים של בין 4GB ל-64GB, ומיועדים למוצרי צריכה אלקטרוניים כמו מחשבים, נגני מדיה, טאבלטים וכו'.
אחרי שאינטל, מיקרון, טושיבה וסאנדיסק שלפו את הנשקים, מעניין יהיה לראות כיצד יגיבו סמסונג ו-Hynix, שני "הגדולות" הנוספות בתחום שבבי ה-NAND, להתפתחויות, האם תהיה מישהו שתפתיע ותעדיף להתרכז באמינות ואורך חיים בשבבי על חשבון מיזעור נוסף?
