זכרונות LPDDR4X בתהליך ייצור מעודכן וגם זכרונות LPDDR5 חסכוניים יותר מאי פעם נמצאים בתוכניות חברת הענק לטווח הקרוב
סמסונג ממשיכה לעשות את מה שהיא יודעת הכי טוב, ומזכירה לנו שוב במעשים (וגם במילים) את השליטה הטכנולוגית שיש לה בכמה וכמה מענפי ייצור החומרה הגדולים והחשובים ביותר – הפעם מדובר בשבבי זכרונות דינאמיים, ובפרט בשבבי LPDDR (ר"ת Low Power Double Data Rate) שמיועדים לסמארטפונים, טאבלטים ומחשבים שמעוניינים להציע את צריכת ההספק הנמוכה ביותר ואת חיי הסוללה המיטביים.
זכרונות ה-LPDDR4X החסכוניים במיוחד מבית סמסונג כבר עשו היסטוריה קטנה כשאיפשרו לנו לקבל לראשונה סמארטפונים עם 8GB של RAM, וכעת החברה מכריזה על תחילתו של ייצור המוני לדור שבבי 16 ג'יגה-ביט שני, בטכנולוגיה "ברמת 10 ננומטר" (בתחום שבבי הזכרונות הדינאמיים לא נהוג לתת נתון ננומטרי מספרי מדוייק) ובמהירות אפקטיבית של 4,266MT/s עם תדר פעולה של 2,133MHz.
השבבים החדשים יהיו קטנים במעט, חסכוניים וכנראה גם זולים יותר מאלו של הדור הראשון, ובסמסונג אף מצהירים כי מארז שבב שלם בנפח כולל של 8 ג'יגה-בייט, המורכב מארבעה שבבי הדור החדש, יהיה דק בכ-20 אחוזים מהגרסה הראשונים של זכרונות אלו לסמארטפונים – מה שאומר כי בקרוב נוכל לראות יותר ויותר מכשירים חכמים עם נפחי RAM מרשימים מאוד. זה אולי צעד קטן קדימה – אך אנחנו מברכים על כל אחד כזה.
צעד גדול הרבה יותר מגיע עם ההכרזה השנייה של סמסונג – על השלמת ייצור הדוגמאות המעשי של דור שבבי ה-LPDDR5 הראשונים, הדור הבא של התקן האולטרה-חסכוני לזכרונות דינאמיים (בינתיים בנפח צנוע של 8 ג'יגה-ביט בלבד לכל שבב).
ארגון ה-JEDEC עדיין לא פירסם את התקן שלו עבור LPDDR5, כך שפרטים טכניים רבים אותו המאפיינים והיתרונות היחסיים לעומת LPDDR4 ובעיקר LPDDR4X אינם ידועים – אך בסמסונג עצמה מצהירים על מהירות העברה של עד 6.4 ג'יגה-ביט לשנייה לכל פין בממשק ה-16 ביט הצנוע של השבבים אותם יצרו, שיפור של כמעט 50 אחוזים לעומת המקסימום הקיים בשוק כיום, לצד קיצוץ של עד 30 אחוזים (!) בצריכת ההספק בהשוואה ל-LPDDR4X.
סביר להניח כי נוכל לראות מוצרים ממשיים עם זכרונות LPDDR5 רק אי שם בשנת 2020, או בסוף שנת 2019 בתור המועד המוקדם ביותר, אבל היי – לפחות אנחנו יודעים שיש עוד (הרבה) למה לצפות. שיהיה בהצלחה!