סיכום שנת 2017 הפומבי של יצרנית השבבים חושף מוצר חדש ומבטיח שיהפוך לזמין בשנה הקרובה
טכנולוגיית אחסון ה-NAND לא מפסיקה להתקדם ולהפתיע אותנו, בראש ובראשונה בכל הנוגע לצפיפות האחסון האפשרית ולצריכת ההספק המינימלית – כאשר אחת מההוכחות האפקטיביות ביותר לכל העניין מגיעה אלינו מכונני SSD זעירים בממשק BGA, בהם כלל הרכיבים הנדרשים נמצאים במעטפת אחת בודדת שמוכנה להלחמה ישירות על לוח אם או על לוח M.2 במימדים מינימליים.
עד כה ראינו כוננים-על-שבב מסוג שכזה בנפחים של עד 512 ג׳יגה-בייט מבית במסונג וטושיבה, באופן שהגדיר למעשה גם את הנפחים המירביים התיאורטיים אותם ניתן לדחוס בכונני M.2 באורך 80 מילימטרים או באורך 42 מילימטרים, ואף בכונני 2.5 אינץ׳ סטנדרטיים. באינטל מבטיחים לנו כונן זעיר שכזה עם נפח כולל כפול – טרה-בייט שלם בתוך מארז שבב שמימדיו הם ככל הנראה 16×20 מילימטרים בלבד. מדהים!
היצרנית לא מספקת שם פירוט טכני על המוצר שבתמונה, אך בהתבסס על הטכנולוגיה המודרנית שמאפשרת ערימה של עד 16 שכבות NAND במארז בודד ניתן להסיק כי נפח של טרה-בייט מושג על ידי שימוש בשבבים מדור חדש ומתקדם יותר, עם 512 ג׳יגה-ביט לכל אחד ואחד מהם בהתבסס על תצורת TLC ומבנים בני 64 שכבות – משהו שעדיין לא ראינו בשום מוצר מסחרי אחר.
סמסונג הכריזה מצידה לאחרונה על ייצור המוני של שבבי UFS בנפח 512 ג׳יגה-בייט המובססים על שבבי 512 ג׳יגה-ביט, אך גם במקרה הזה טרם ברור מתי נראה אותם זמינים לשימושנו הלכה למעשה – כאשר מסתמן שאינטל תנצל את יכולותיה בתחום עם התמקדות בעולם המחשבים האישיים הניידים תחילה, במקום בעולם הסמארטפונים והטאבלטים למיניהם כמו במקרה של סמסונג.
עם הטכנולוגיה החדשה, נראה כי נוכל לקבל כונני M.2 בנפחים דמיוניים של 4 טרה-בייט לפורמט חד צדדי או 8 טרה-בייט לדגמים עם שבבים משני צדדיהם, וכמו כן כונני 2.5 אינץ׳ בעובי סטנדרטי של 7.5 מילימטרים בנפחים של עד 16 טרה-בייט – כל זאת מבלי שהזכרנו את טכנולוגיית ה-QLC, שאמורה להתחיל לזרוח בעתיד הקרוב ותאפשר הגדלה נוספת של נפח האחסון האפשרי תודות לאחסון של ארבעה ביטים בכל תא ותא שמרכיב את שבב ה-NAND, במקום שלושה ביטים ברוב המקרים כיום. אין רגע דל.
