שיתוף פעולה יפני קוריאני יביא אלינו דור חדש ומתקדם של זכרונות RAM?
טושיבה (Toshiba), הענקית היפנית, ו-Hynix, יצרנית המוליכים למחצה מדרום קוריאה, חתמו על הסכם שיתוף פעולה בפיתוח דור חדש של זכרונות RAM – או STT-MRAM בשבילכם (ר"ת Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory).
מדובר בטכנולוגיה שעשויה להחליף בעתיד הן את זכרונות ה-DRAM והן את זכרונות ה-NAND Flash, ומהווה למעשה מתחרה לטכנולוגיית ה-Phase Change Memory עליה כתבנו לא מעט בעבר.
"זכרונות MRAM הם פנינה נדירה המלאה במאפיינים מרשימים כמו מהירות גבוהה במיוחד, נפח גדול וצריכת הספק נמוכה, והם יהווו גורם מרכזי בהתפתחות של תחום הזכרונות, ובנוסף ישמשו גם כמענה מושלם לדרישת השוק למכשירים מתקדמים יותר, כמו סמארטפונים ודומיהם", אמר או צ'ול קוון (Oh Chul Kwon), המנכ"ל של Hynix.
| מבנה זכרון MRAM, מתוך פיתוח של IBM וטושיבה |
בדומה לטכנולוגיית ה-Phase Change, גם טכנולוגיית ה-MRAM מסתמכת על המאפיינים הקוונטיים של האטומים (הספין שלהם) בכדי לאחסן מידע, כשהדבר פותח את הדלת ליכולת לגשת לכל ביט בנפרד, ולא לבלוקים של מידע – מה שיוצר מהירויות גישה גבוהות במיוחד, ושהות (Latency) נמוכה יותר.
זכרונות ה-MRAM עדיין מפגרים באופן ניכר אחרי הטכנולוגיית המקובלות כיום בחזית הנפח וצפיפות המידע, אם כי על פי ההערכות ניתן יהיה להגדיל את קנה המידה (Scaling) של הזכרונות הללו בקלות ובמהירות (יחסית).
שתי יצרניות המוליכים למחצה מתכננות להשיק מיזם משותף (Joint Venture) לייצור הזכרונות בסיום שלב הפיתוח, וכמו כן הוארכו הסכמי השימוש המשותף בפטנטים ואספקת הרכיבים בין השתיים, שנוסחו בשנת 2007.
קשה עד בלתי אפשרי להעריך איזו טכנולוגיה עתידית תהפוך להיות שם שגור בפי כולנו ואיזו תיעלם כאילו לא הייתה קיימת מעולם (ואולי בעצם יש מקום לשתיהן?), אך עתיד הזכרונות נשמע מעניין ומבטיח עד מאוד.
אבל זה עדין יהיה זיכרון נדיף ?
כל הפעמים שדיברו על MRAM טענו שהוא לא יהיה זיכרון נדיף כמו הDRAM וזה יחסוך לנו את הדיסק הקשיח ומה כאן ?
בדומה ל-Phase Change Memory
גם MRAM הוא זכרון בלתי נדיף.
ל-1, non-volatile RAM כזיכרון פנימי זו אגדה אורבנית ולא בעשור הקרוב יהיה משהו מסחרי כזה
מה גם שלא מדובר על עלויות שמאפשרות נפחים כמו שאנחנו צריכים מהאחסון החיצוני. בקיצור, פטפוטים אקדמיים ותו לא.