טושיבה וסנדיסק הודיעו השבוע על כוונתן להתחיל בייצור המוני של שבבי NAND Flash בנפח 8 גיגה-ביט (כלומר, אחד גיגה-בייט) ו-16 גיגה-ביט (שני גיגה-בייט), על מנת לתגבר את מעמדן כחברות פיתוח מובילות בתחום השבבים. השבבים ייוצרו בתהליך של 56 ננומטר ב-Fab 3 של השתיים, כחלק משיתוף הפעולה שלהן. נכון להיום, שבב NAND יחיד בנפח 16 גיגה-ביט מהווה את הצפיפות הגבוהה ביותר (אם כי לא בלעדי לטושיבה וסנדיסק) אשר הושגה בטכנולוגיה זו.
השבבים החדשים
כהתקדמות מייצור מוגבל של אבי-טיפוס בסוף השנה הקודמת, טושיבה וסנדיסק מגבירות כעת את הפצתם המסחרית של שבבי 8 גיגה-ביט יחידים ושבבים דומים בטכנולוגיית MLC (ר"ת Multi-Level Cell. שבבים המסוגלים לשמור מידע בנפח 2 ביט על תא בנפח 1 ביט) – הגודל הסטנדרטי המקובל – כאשר השבבים זמינים כבר מרגע ההכרזה. הפצת דגימות ה-16 גיגה-ביט נקבעה לסוף הרבע הראשון השנה על פי כוונות החברה, וייצור המוני יחל בתחילת הרבע השני.
אימוץ טכנולוגית ה-MLC ותכנות יעיל יותר מאפשרים לשבב, בנוסף לנפח האכסון המוגדל, להציע גם מהירות כתיבה של כ-10 מגה-בייט לשנייה – ביצועים כפולים משבבי ה-MLC הנוכחיים של החברה בתהליך ייצור של 70 ננומטר. לפי המידע שטושיבה מפרסמת, יכולות ה-Paging של השבב תוגברו וכעת ניתן לאחסן בזמן נתון 4,314 בייטים של מידע בניגוד ל-2,112 בייטים בשבבים המתיישנים.
נתוני השבבים החדשים של טושיבה וסנדיסק