היצרניות Silicon Motion ו-Phison אינן מבזבזות זמן, ומכינות את קו המוצרים שעשוי להפעיל את כונן האחסון המהיר העתידי שלכם
כונני SSD מודרניים מצד היצרניות שאינן משתייכות אל קבוצת העילית העוסקות בפיתוח אנכי של כל המרכיבים הדרושים למוצרים אלו כוללות ברוב המוחלט של המקרים בקר SSD מטעם אחת משלוש חברות: Marvell האמריקאית או Phison ו-Silicon Motion הטאיוואניות שהחלו לצבור תאוצה משמעותית בשנים האחרונות – ומעוניינים לעשות הכל בכדי לשמור עליה גם ב-2018.
הדרך להמשכיות עוברת בכמה שיותר מוצרים חדשים, כך נראה, כש-Phison מתכוננת להשקת שלושה בקרים חדשים לכל הפחות בתקופה הקרובה – ואילו Silicon Motion מקווה להתעלות עליה עם ארבעה דגמים.
SMI מכינה עבור עולם כונני ה-NVMe, בתצורת ה-M.2 המוקטנת המודרנית וללא המגבלות המובנות המוכרות של תקן ה-SATA, צמד דגמים שמחולקים לארבעה תתי דגמים ואמורים להקפיץ את רמת הביצועים בתחום לאיזור חדש ואיכותי יותר: ה-SM2263 וה-SM2263XT שיציעו ארבעה ערוצי NAND עם או בלי תמיכה בזכרון מטמון ייעודי מבוסס DRAM בהתאמה, עם מהירויות העברה רציפות מירביות של עד 2,400 מגה-בייט בשנייה בקריאה ועד 1,700 מגה-בייט בשנייה בכתיבה, בתוספת לביצועים אקראיים של עד 300,000IOPS ב-SM2263 ועד 280,000IOPS ב-SM2263XT.
דגמי ה-SM2262 וה-SM2262EN של החברה יכוונו לשוק גבוה ויוקרתי אף יותר, שלא לומר לכתר עולם ה-SSD כולו, עם תמיכה בשמונה ערוצים למארזי NAND ועם הבטחה למהירויות העברה רציפות אדירות של עד 3,500 מגה-בייט בשנייה בקריאה ועד 3,000 מגה-בייט בשנייה בכתיבה – וכמו כן ביצועים אקראיים מירביים של עד 370,000IOPS לפעולות קריאה של קבצי 4 קילו-בייט קטנים ועד 300,000IOPS בכתיבה של קבצי 4 קילו-בייט. מרשים ביותר – גם על הנייר וגם במסגרת הדגמות אב-טיפוס שכבר תועדו להן במספר הזדמנויות ברשת.
Phison מצידה מקווה להקסים את שוק המיינסטרים עם בקר ה-E8 שלה, שאותו כבר הספקנו לראות בבכורה בכונן SSD אחד בודד מבית חברת MyDigitalSSD שאומנם יכלול תמיכה בעורק PCI-Express 3.0×2 בלבד, חצי מהפוטנציאל המלא של מחברי ה-M.2, יחד עם ארבעה ערוצי NAND, אך אמור להגיע בכל זאת לדרגות ביצועים ראויות של עד 1,500 מגה-בייט בשנייה במהירויות רציפות ועד 200,000IOPS בעבודה עם קבצים אקראיים. גם למוצר הזה אמורה להגיע גירסה ללא תמיכה בזכרון מטמון מבוסס זכרון דינאמי, אשר יקבל את השם E8T.
שני הדגמים הנוספים של החברה יקבלו את השמות E12 ו-S12, וכפי שניתן לתאר יכוונו לפלח גבוה ומתקדם משמעותית – ה-E לתקן ה-NVMe וה-S עבור עולם ה-SATA. שני הדגמים כוללים תמיכה ב-8 ערוצי NAND, תיקון שגיאות מתקדם, הצפנה ואף תמיכה בזכרונות 3D NAND בתצורת MLC, תצורת TLC ואפילו תצורת QLC עתידית שעדיין לא זמינה בצורה מסחרית.
ה-S12 מבטיח להגיע למהירויות רציפות נהדרות של 3,200 מגה-בייט בשנייה בקריאה ועד 3,000 מגה-בייט בשנייה בכתיבה, וביצועים אקראיים אדירים עוד יותר של 600,000IOPS גם בקריאה וגם בכתיבה. ה-E12 מיועד לסחוט כל טיפת ביצועים מה-SATA III הישן והטוב, עם מהירויות רציפות של עד 550 מגה-בייט בשנייה וביצועים אקראיים עם קבצי 4 קילו-בייט של עד 100,000IOPS בקריאה ועד 90,000IOPS בכתיבה. יהיה מעניין לבחון זאת מול השיאים שאותם העמידה סמסונג עם דגמי ה-850 EVO שלה כבר בשנה שעברה.
כיצד תיארה התגובה שמכינות מארוול, טושיבה וסמסונג לאיומים החדשים האלו? אנחנו מניחים שבקרוב נקבל את התשובות גם לזה.
