היכונו להכפלת נפחים: סמסונג החלה בייצור המוני למודולים של DDR4 בנפח 128GB

4 תגובות

הענקית הקוריאנית מנצלת את טכנולוגיות הייצור התלת מימדיות שלה בכדי להפיק DRAM בנפחים חסרי תקדים

זכרונות ה-DRAM (ר"ת Dynamic Random Access Memory) הם לא בדיוק צוואר הבקבוק הבולט ביותר במערכות המחשב המודרניות, אך בכל זאת נעים לראות אותם הופכים למהירים, גדולים – וגם חסכוניים יותר, בין היתר תודות למעבר לתקן ה- הטרי.


עתה, אחת מהמובילות של השוק הזה, סמסונג, מצהירה כי היא החלה בייצור של מודולי זכרון DDR4 בתצורת RDIMM (ר"ת Registered Dual Inline Memory Module) לשרתים בנפח של 128 ג'יגה-בייט (!) לכל מודול. מדובר בנפח שהוא פריצת דרך ממשית בתחום. לשם השוואה, מעבדי ה-Skylake העדכניים תומכים בנפח DRAM כולל (בהתבסס על 4 חריצי זכרון) של עד 64GB בלבד, ואילו מעבדי האקסטרים מדור ה-Haswell-E יכולים לקבל עד 128GB של זכרון , בהתבסס על 8 חריצים.

בשורה לעולם ה-DRAM - ולא רק עבור זה שמיועד לשרתים ועיבוד עתיר עוצמה
בשורה לעולם ה-DRAM – ולא רק עבור זה שמיועד לשרתים ויישומי עיבוד עתיר ביצועים

הנפח האדיר הזה מתאפשר תודות לשימוש בשבבי DRAM שנערמו אחד על השני עם טכנולוגיית TSV שמחברת אותם דרך המעגלים המודפסים ולא רק מהצדדים שלהם (בדומה ליישום שראינו בשבבי ה-HBM החדשניים בכרטיסי המסך של AMD), מה שמעניק יכולת לדחוס יותר שבבים בשטח פנים נתון מבלי לפגוע בביצועים, במתח העבודה הבסיסי ובצריכת ההספק.

קבלו עדכונים לפני כולם בטלגרםקבלו מאיתנו עדכונים לפני כולם - בטלגרםהצטרפו כבר עכשיו לערוץ הטלגרם של הזון


smscp3

מעבר לכך שמעתה לוחות אם למעבדי שרתים עם תושבת בודדת יוכלו להכיל עד טרה-בייט של זכרון RAM במהירות של 2,400Mbps, ולוחות אם עם זוג תושבות ו-16 חריצי DRAM יוכלו להכיל עד 2 טרה-בייט (!) של זכרון RAM – נראה כי יש כאן משמעות מרחיקת לכת גם עבור הצרכנים הביתיים. יישום של טכנולוגיית ה-TSV במודולי DIMM סטנדרטיים המיועדים למערכות מבוססות ביתיים תוכל להפוך סטיקים בנפח של 16GB לסטנדרט הבסיסי החדש, שיאפשר לכל מערכת למצות את הנפח המירבי שמציע דור ה- ללא קשיים מיוחדים – ובהמשך גם מודולים בנפח של 32GB ואפילו 64GB יוכלו להפוך למציאות בדרך לנפחים כוללים שיבטיחו כי זכרון לא ייחסר לאף אחד מאיתנו, לפחות לא בעתיד הנראה לעין.