הענקית הקוריאנית מנצלת את טכנולוגיות הייצור התלת מימדיות שלה בכדי להפיק זכרונות DRAM בנפחים חסרי תקדים
זכרונות ה-DRAM (ר"ת Dynamic Random Access Memory) הם לא בדיוק צוואר הבקבוק הבולט ביותר במערכות המחשב המודרניות, אך בכל זאת נעים לראות אותם הופכים למהירים, גדולים – וגם חסכוניים יותר, בין היתר תודות למעבר לתקן ה-DDR4 הטרי.
עתה, אחת מהמובילות של השוק הזה, סמסונג, מצהירה כי היא החלה בייצור של מודולי זכרון DDR4 בתצורת RDIMM (ר"ת Registered Dual Inline Memory Module) לשרתים בנפח של 128 ג'יגה-בייט (!) לכל מודול. מדובר בנפח שהוא פריצת דרך ממשית בתחום. לשם השוואה, מעבדי ה-Skylake העדכניים תומכים בנפח DRAM כולל (בהתבסס על 4 חריצי זכרון) של עד 64GB בלבד, ואילו מעבדי האקסטרים מדור ה-Haswell-E יכולים לקבל עד 128GB של זכרון DDR3, בהתבסס על 8 חריצים.
הנפח האדיר הזה מתאפשר תודות לשימוש בשבבי DRAM שנערמו אחד על השני עם טכנולוגיית TSV שמחברת אותם דרך המעגלים המודפסים ולא רק מהצדדים שלהם (בדומה ליישום שראינו בשבבי זכרון ה-HBM החדשניים בכרטיסי המסך של AMD), מה שמעניק יכולת לדחוס יותר שבבים בשטח פנים נתון מבלי לפגוע בביצועים, במתח העבודה הבסיסי ובצריכת ההספק.
מעבר לכך שמעתה לוחות אם למעבדי שרתים עם תושבת בודדת יוכלו להכיל עד טרה-בייט של זכרון RAM במהירות של 2,400Mbps, ולוחות אם עם זוג תושבות ו-16 חריצי DRAM יוכלו להכיל עד 2 טרה-בייט (!) של זכרון RAM – נראה כי יש כאן משמעות מרחיקת לכת גם עבור הצרכנים הביתיים. יישום של טכנולוגיית ה-TSV במודולי DIMM סטנדרטיים המיועדים למערכות מבוססות מעבדים ביתיים תוכל להפוך סטיקים בנפח של 16GB לסטנדרט הבסיסי החדש, שיאפשר לכל מערכת למצות את הנפח המירבי שמציע דור ה-Skylake ללא קשיים מיוחדים – ובהמשך גם מודולים בנפח של 32GB ואפילו 64GB יוכלו להפוך למציאות בדרך לנפחים כוללים שיבטיחו כי זכרון RAM לא ייחסר לאף אחד מאיתנו, לפחות לא בעתיד הנראה לעין.
