דור כרטיסי המסך החדש של NVIDIA יגיע עם תהליך ייצור חדש?

דיווח חדש מצהיר כי עידן ה- של מפתחת השבבים עשוי לפרוץ עוד השנה, בליטוגרפיית 12 ננומטר

כרטיסי ה-GeForce של ממשיכים להוביל את השוק ללא קושי, אך נראה שבחברה לא נותנים להצלחה הזאת לבלבל אותם יתר על המידה – אם לשפוט לפי השקתו של ה-GeForce GTX 1080 Ti הנהדר בתג מחיר טוב משמעותית מזה שאותו צפינו, קיצוץ המחירים על כרטיסי המסך שכבר נמצאים בחנויות וגם עדויות לפיהן דור חדש עם חדשה כבר נמצא בשלבי הכנה מתקדמים. אנחנו מקווים מאוד שיש בכך אמת.


מידע עדכני שצץ לו בעיתון כלכלי סיני, וצוטט באתר הטאיוואני האמין Digitimes, מספר כי יצרנית השבבים הגדולה TSMC זכתה לאחרונה בשתי הזמנות חדשות ורחבות היקף, האחת לשבבי 10 ננומטר שישמשו את חברת קוואלקום בשבב ה-ARM הראשון שלה (עם לא פחות מ-48 ליבות עיבוד) אשר מיועד לעולם השרתים – והשנייה של עבור ליבות מהדור החדש, שיתבססו על תהליך ייצור חדש אחר, ב-12 ננומטר ובהתבסס על טרנזיסטורי FD-SOI מישוריים.

האם אנחנו סוף סוף מקבלים רמז משמעותי ראשון אודות הדור הבא והמסתורי מבית יצרנית הליבות הגראפיות המובילה בשוק?

רוב עולם השבבים כבר עבר לשימוש בטכנולוגיות אשר יוצרות טרנזיסטורי תלת מימדיים המעניקים צפיפות גדולה יותר ויכולת שליטה טובה יותר על מיתוגם, אך טכנולוגיית ה-FD-SOI, או Fully Depleted Silicon-On-Insulator, ממשיכה לחיות ולבעוט בתור אלטרנטיבה אפשרית נוספת לטרנזיסטורים המישוריים "הפשוטים" (שמכונים גם בכינוי Bulk) עם מבנה ייחודי שבו השער הממותג ממוקם על גבי שכבה מבודדת שנוצרת על מצע המוליך למחצה, ומעניקה שטח מגע מוגדל עימו בדומה לאחד מהיתרונות הבולטים בטכנולוגיות התלת-מימדיות.

קבלו עדכונים לפני כולם בטלגרםקבלו מאיתנו עדכונים לפני כולם - בטלגרםהצטרפו כבר עכשיו לערוץ הטלגרם של הזון


FD-SOI היא הנצר האחרון שנותר לנו מטרנזיסטורים מישוריים, והיא מסרבת לוותר על מיקומה בחוד החנית של שוק העיבוד

חברת GlobalFoundries נחשבת לתומכת הבולטת ביותר של טכנולוגיית ה-FD-SOI בעולם ייצור המוליכים למחצה, ובסוף השנה שעברה גילינו שגם TSMC הטאיוואנית תצטרף אליה ותציע אותה כתהליך נפרד לצד טכנולוגיות ה-FinFET שלה, עם הצהרה על כך שיש כאן פוטנציאל לספק ביצועים דומים מאוד ואפילו טובים יותר מאלו האחרונים בעבור עלויות זולות יותר – ואם להאמין לדיווח העדכני, נראה שאחת מהחברות הגדולות הראשונות שהשתכנעו ואימצו את המידע הזה היא לא אחרת מ-.

היישום הראשון של Volta ושל טכנולוגיית הייצור החדש יהיה במערכות ה-Xavier, אם להאמין למידע החדש, זאת למרות ההצהרה המקורית של על כוונה לעשות שימוש בליטוגרפיית 16 ננומטר

נראה שב- העדיפו שלא להמתין עד להגעתו של תהליך ה-10 ננומטר החדיש של TSMC לטרנזיסטורי FinFET לבשלות שתאפשר יצירת שבבים גדולים שמתאימים עבור כרטיסים גראפיים בתקופה ראויה, ומצד שני בחרו להתקדם מתהליך ה-16 ננומטר הנוכחי במסגרת הגעתה של מדור חדש – וכך נבחר לו התהליך ב-12 ננומטר שנמצא ביניהם לשמש עבור . תחילה עבור יחידות ה-Xavier המרשימות שמיועדות לעולם הרכבים החכמים והאוטונומיים והוצגו כבר בתחילת השנה, ולאחר מכן גם עבור היחידות הגראפיות עצמן – לכאורה עוד ב-2017, מתישהו במהלך החצי השני של השנה.


המחצית השנייה של השנה הנוכחית אמורה להיות חמה ומעניינת לא פחות מזו הנוכחית

קשה אפילו לנסות להעריך מה יוכל להיות היתרון הטכנולוגי שבתהליך הייצור ב-12 ננומטר בהשוואה לזה עליו מבוססות הליבות הגראפיות של כיום, משום שמדובר בשתי טכנולוגיות שונות באופן משמעותי כך שה'אורך' השיווקי המוענק להן לא באמת מספק את התמונה המלאה (עוד פחות מבדרך כלל), אך יתכן שדווקא הפוטנציאל ליצור שבבים בגודל פיזי משמעותי בעלות נמוכה יותר הוא זה שקרץ לאנשי של מפתחת השבבים הירוקה – אלו הם דברים שנוכל לגלות רק בעוד כמה חודשים, ועד אז נתמקד בלהמתין לליבות ה-Vega של ולתהות מה הן יוכלו להציע לנו מבחינת מירביים ומבחינת יעילות, עם תהליך ה- (ב-FinFET) של .